图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTTFS4C08N |
| 封装 | Reel |
| RoHS | RoHS Compliant |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.9 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 820mW |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.3A (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1113pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 18.2nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | NTTFS4C08N |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 52 A |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.9 mOhms |
| 技术 | Si |
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